近期,中国存储龙头企业长鑫科技招股说明书正式披露。 长期以来为规避外部不确定性因素干扰,长鑫在宣发上始终保持低调姿态。然而,招股书披露的数据再难掩饰其作为行业领导者的实力:已完成从DDR4到LPDDR5X等主流DRAM产品的覆盖与迭代,最新产品性能达到国际先进水平。

在DRAM这个高壁垒领域,长鑫采用一套完整的IDM模式,覆盖设计、制造和封装全链条。从早期实现国产DRAM突破,到如今量产多代产品,长鑫的工程能力支撑了快速迭代。

“跳代研发”夯实基础,“双芯”性能跻身国际主流

DRAM行业素有“半导体产业皇冠上的明珠”之称,技术壁垒极高、投资规模巨大、回报周期漫长。此前长期由三星、美光、SK 海力士三大国际巨头主导全球市场。长鑫的起步选择了一条高难度路径:其第一款产品直接切入主流 DDR4 标准,而非技术门槛更低的落后制程,从源头锚定了与国际巨头同台竞争的赛道。在 DRAM 领域,量产是比研发更核心的挑战,涉及晶圆良率控制、大规模制造一致性及供应链协同等多重复杂环节,也是衡量企业核心竞争力的关键指标。

招股书显示,长鑫科技采用“跳代研发”的策略,2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品,实现国产DRAM“从零到一”的突破;此后快速推进产品迭代,2025年年底先后推出最新产品LPDDR5X和DDR5,LPDDR5X系列产品速率更是突破10667Mbps,较上一代提升66%,满足高端智能手机、平板等移动终端对高速率、低功耗的需求;推出首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps,单颗最大容量24Gb,可广泛应用于 PC、服务器及数据中心等领域。最新产品性能均处于国际领先梯队。

值得注意的是,长鑫科技的“跳代研发”并非盲目的技术追赶,而是建立在自主可控的 DRAM 架构基础之上,长鑫成为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。

高研发投入筑护城河:资本与人才双轮驱动技术深水区探索

半导体产业的竞争,本质上是研发投入与人才储备的竞争。招股书披露,2022年至2025年上半年,长鑫科技累计研发投入达188.67亿元,占累计营收的33.11%,2025年上半年,长鑫科技研发费用率达23.71%,远高于同期行业平均水平,高额研发投入为产品快速迭代提供了坚实支撑。

同时,由4653名研发人员组成的核心团队(占员工总数超30%),正持续推动企业向技术深水区探索。

研发投入和人才基础的持续转化,体现为专利数量与质量的双重突破。截至2025年6月30日,长鑫科技共拥有5589项专利,其中境内专利3116项、境外专利2473项,在2024年美国专利授权排名全球第42位,在所有上榜中国企业中排名第4。

目前长鑫科技已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音等行业头部客户建立长期稳定的合作关系,受到行业高度认可。头部客户的持续合作,不仅验证了长鑫产品的性能与可靠性,更构建起稳定的市场基础。

多维产业协同构筑产业链发展生态

DRAM作为集成电路产业发展的战略基础性产品,是数字经济时代的核心芯片之一,也是国家信息基础设施战略安全的重要基石。中国一直是全球主要DRAM消费市场之一,但本土自给率偏低,未来发展空间广阔。长鑫科技作为DRAM产业龙头,不仅填补了国产DRAM的空白,更是以不断提升的核心竞争力跑到了全球核心主赛道上。

长鑫科技若成功上市,不仅会为企业自身发展注入资本动力,更将引发显著的产业链辐射效应。合作阵营中的设备商拓荆科技、盛美上海,材料商安集科技、雅克科技,封测商通富微电、深科技等配套企业,将伴随长鑫科技产能扩张实现订单放量,推动整个半导体板块迎来估值修复与业绩兑现的双重行情,进一步提升我国集成电路产业链综合实力,为中国半导体产业的高质量发展注入更强动力。